Prosessen med produksjon av PV-panelceller som du ikke kjenner

Prosess: teksturering (INTEX)→diffusjon (DIFF)→etterrensing (kutte/fjerne PSG)→antirefleksbelegg (PECVD)→sikting, sintring (PRINTER)→testing, sortering (TESTER+SORTER)→emballasje (PAKKING)

Hensikten med teksturering er å danne en teksturert overflate på overflaten av silisiumplaten for å redusere reflektiviteten til cellen. Ujevnheten i den teksturerte overflaten kan øke sekundær refleksjon og endre den optiske banen og hendelsesmodusen. Vanligvis behandles enkeltkrystaller med alkali for å oppnå pyramideformet semsket skinn; polykrystaller behandles med syre for å oppnå ormehullformet tilfeldig semsket skinn. Forskjellen i prosesseringsmetoder er hovedsakelig i naturen til enkelt polykrystallinsk
Teknologisk prosess: kashmirtank→vannvask→vannvask→syrevask→vannvask→tørking.
Generelt regnes silisium som ikke-reaktivt med HF og HNO3 (silisiumoverflaten vil passiveres). Når det er tilstede i systemet med to blandede syrer, er reaksjonen av silisium med den blandede løsningen kontinuerlig.

Diffusjon er å lage hjertet av batteriet, og det er å lage P-N-krysset for batteriet. POCl3 er det nåværende valget for fosfordiffusjon. POCl3 er en flytende fosforkilde, og diffusjonen av den flytende fosforkilden har fordelene med høy produksjonseffektivitet, god stabilitet, en jevn og jevn PN-overgang og en god overflate av diffusjonslaget.
POCl3 brytes ned ved temperaturer over 600°C for å danne fosforpentaklorid (PCl5) og fosforpentoksid (P2O5). PCl5 er skadelig for overflaten av silisiumskiver. I nærvær av oksygen (O2) brytes PCl5 ned til P2O5 og frigjør klorgass. Derfor introduseres en kontrollert strøm av oksygen mens nitrogen spres.
Ved diffusjonstemperaturen reagerer P2O5 med silisium for å produsere silisiumdioksid (SiO2) og fosforatomer. Den resulterende P2O5 avsettes på silisiumplatens overflate og fortsetter å reagere med silisium, og danner ytterligere SiO2- og fosforatomer. Denne prosessen fører til dannelse av fosfor-silikatglass (PSG) på silisiumplatens overflate.
Fosforatomer diffunderer til silisium, noe som resulterer i dannelsen av en N-type halvleder.

Under diffusjonsprosessen brukes rygg-mot-rygg ensidig diffusjonsmetode, som fører til diffusjon av fosforatomer på siden og bakkanten av silisiumplaten.
Når sollys er tilstede, strømmer elektronene generert av lys og samlet på forsiden av P-N-krysset til baksiden gjennom regionen der fosfor diffunderes langs kanten, og forårsaker en kortslutning.
Kortslutning av kanalen reduserer parallellmotstanden.
Etseprosessen tar sikte på å fjerne fosfordelen på kanten av silisiumplaten for å forhindre kortslutning av P-N-krysset og redusere den parallelle motstanden.
Våtetseprosess: filmlasting → etsetank (H2SO4 HNO3 HF) → vannvask → alkalibad (KOH) → vannvask → HF-bad → vannvask → filmfjerning
HNO3 reagerer og oksiderer for å produsere SiO2, mens HF brukes til å fjerne SiO2. Alkalitanketseprosessen tjener til å jevne ut den uteksturerte overflaten og gjøre den jevn. Hovedløsningen som brukes i alkalitanken er KOH. H2SO4 brukes for å lette bevegelsen av silisiumskiver på samlebåndet og deltar ikke i reaksjonen.
Tørr etsing refererer til tynnfilmetsing ved bruk av plasma. Når gassen er i plasmatilstand, blir den mer kjemisk aktiv.
Ved å velge en passende gass kan silisiumplaten reagere raskt og gjennomgå etsing. I tillegg brukes det elektriske feltet til å lede og akselerere plasmaet, og gi det energi. Når silisiumplatens overflate blir bombardert, løsnes atomene i silisiummaterialet, og oppnår etsing gjennom overføring av fysisk energi.

Plasma Chemical Vapor Deposition (PCVD) er en prosess som brukes til å avsette en tynn film på overflaten av silisium. Når sollys treffer silisiumoverflaten, reflekteres omtrent 35 % av det. For å forbedre absorberingen av sollys av solcellen påføres en antirefleksfilm. Denne filmen øker den fotogenererte strømmen, noe som fører til høyere konverteringseffektivitet. I tillegg passiviserer filmen som inneholder hydrogen celleoverflaten, og reduserer overflaterekombinasjon ved emitterkrysset. Dette senker den mørke strømmen, øker åpen kretsspenning og forbedrer den totale fotoelektriske konverteringseffektiviteten. Hydrogen i filmen kan reagere med defekter eller urenheter i silisiumet. Denne reaksjonen skifter energi fra det forbudte båndet til valensbåndet eller ledningsbåndet.
I et vakuummiljø ved en temperatur på 480 grader Celsius påføres et lag med SixNy-film på overflaten av silisiumplaten ved å bruke en grafittbåt som leder.

Enkelt sagt går prosessen ut på å samle strøm og lage elektroder for solceller. Først påføres en sølvelektrode på baksiden av cellen, etterfulgt av utskrift og tørking av et aluminiumsbakfelt. Så, en front sølvelektrode er trykt, med fokus på å kontrollere våtvekten og bredden på undergitteret.
Hvis våtvekten til det andre trinnet er for høy, fører det til sløsing av slurryen og utilstrekkelig tørking før man går inn i høytemperatursonen. Dette kan føre til at det organiske materialet blir igjen i slurryen, og forhindrer fullstendig omdanning til metallaluminium.
For høy vekt kan også føre til at solcellen blir buet etter sintring. Hvis våtvekten er for lav, forbrukes all aluminiumspasta under sintringen. Dette danner et legeringsområde med silisium som ikke er egnet for kontakt med bakmetall. Dette er fordi lateral ledningsevne og loddeevne er dårlig. I tillegg kan det forårsake buler eller andre utseendefeil.
Hvis bredden på den tredje rutenettet er for bred, reduserer det lysmottaksområdet til cellen og reduserer effektiviteten.
Utskriftsmetode: fysisk utskrift, tørking

Sintring er prosessen med å varme opp elektroden trykt på cellens overflate ved høy temperatur. Dette hjelper elektroden og silisiumbrikken til å danne god elektrisk kontakt, og forbedrer cellens åpen kretsspenning og fyllfaktor. Det sikrer også at elektroden har lav motstand, noe som fører til høy konverteringseffektivitet.
Sintring hjelper til med å lette diffusjonen av hydrogen inn i PECVD-prosessen. Denne effektive passiveringen av cellen er en ekstra fordel.
Sintringsmetoden som brukes er hurtigsintring ved høy temperatur, og oppvarmingen oppnås gjennom infrarød oppvarming.
Sintring er en omfattende prosess med diffusjon, flyt og fysiske og kjemiske reaksjoner. Den fremre Ag diffunderer inn i silisiumet gjennom SiNH, men kan ikke nå P-N overflaten, og den bakre Ag og Al diffunderer inn i silisiumet. På grunn av behovet for å danne en legering, er det nødvendig med en viss temperatur. Ag, Stabiliteten til legeringer dannet av Al og Si er forskjellig, så det er nødvendig å stille inn forskjellige temperaturer for å oppnå henholdsvis legering.

Siden 2008 har Mosaic Solar fokusert på produksjon av ulike solcellemoduler, og vi tilbyr en serie med glassmoduler med PERC-teknologi som du kan velge.

Velg Mosaic Solar fordi vi har høykvalitets solcellepanelteknologi for å møte dine behov, vennligst kontakt oss og skap en grønn fremtid sammen!